Samsung Electronics планує використовувати 3-нанометровий техпроцес тайванської TSMC для виробництва базових кристалів пам’яті нового покоління NVHBM для Nvidia, пише Seoul Economic Daily.
Samsung вперше залучить TSMC до виробництва HBM
Співпраця може стати першим випадком, коли Samsung використовуватиме технологію TSMC безпосередньо на етапі виробництва пам’яті HBM. Раніше компанія покладалася на власні виробничі потужності для виготовлення таких чипів.
Nvidia звернулася до Samsung, SK Hynix і Micron Technology з вимогою використовувати техпроцес TSMC для виробництва базових кристалів NVHBM — нового типу високошвидкісної пам’яті з інтегрованим контролером Nvidia. Водночас основні кристали мають виготовляти за технологією DRAM шостого покоління.
Samsung погодилася на ці умови після внутрішнього аналізу. Водночас компанія не планує повністю відмовлятися від власної моделі виробництва. Стандартну HBM і спеціалізовані продукти для інших замовників вона продовжить виготовляти самостійно.
Крім того, Samsung оцінює можливість залучення власного контрактного виробництва до випуску базових кристалів NVHBM. Такий варіант розглядають на випадок, якщо попит перевищить виробничі можливості TSMC.
Навіщо Nvidia залучає Samsung і TSMC
Nvidia розробляє базовий кристал пам’яті NVHBM спільно із Samsung і TSMC. Це об'єднує дві компанії, які водночас конкурують на ринку контрактного виробництва напівпровідників.
Причиною такої співпраці стали технічні обмеження сучасної HBM. Швидкість передавання даних цієї пам’яті не встигає за зростанням обчислювальної потужності графічних процесорів. Додатковою проблемою залишається дефіцит постачання.
Щоб подолати ці обмеження, Nvidia планує використовувати 3-нанометровий техпроцес TSMC та її виробничі потужності. Це має допомогти забезпечити випуск нової пам’яті NVHBM.
Водночас Samsung братиме участь у спільній розробці базового кристала. Таким чином, компанії поєднають свої технологічні можливості для створення наступного покоління високошвидкісної пам’яті.
