ASML і виробники чипів працюватимуть над новим поколінням літографічного обладнання

Ярослава Несисюкминулого місяця

Час прочитання: 2 хвилини

ASML і виробники чипів працюватимуть над новим поколінням літографічного обладнання

Нідерландська ASML планує разом із великими клієнтами розробити технологію для виробництва більших чипів на своїх найсучасніших літографічних системах. Як повідомляє Reuters, компанія хоче адаптувати High NA EUV для чипів датацентрів, подібних до тих, які проєктують Nvidia та інші розробники.

ASML збільшить розмір масок для High NA EUV

ASML виробляє літографічне обладнання, яке переносить схеми чипів на кремнієві пластини за допомогою світла та спеціальних масок. Нинішні широко використовувані EUV-системи можуть виготовляти чипи площею приблизно до 800 квадратних міліметрів.

Nvidia, Google та інші компанії вже проєктують чипи, що наближаються до цього обмеження. Для виробництва складніших мікросхем ASML розробляє нове покоління обладнання — High NA EUV.

High NA EUV використовує екстремальне ультрафіолетове світло та вищу числову апертуру. Це дозволяє створювати дрібніші елементи чипів, ніж на попередніх EUV-системах. Однак нинішні машини використовують менші маски, що обмежує максимальний розмір чипа.

ASML планує перейти на більший формат масок, щоб High NA EUV могли виготовляти чипи розміром із найбільші сучасні процесори датацентрів. Компанія працюватиме над цим разом зі своїми основними клієнтами.

Збільшення масок має сприяти ширшому використанню High NA EUV у великосерійному виробництві. Наразі Intel уже застосовує найновіші системи ASML для виробництва чипів для ноутбуків.

Водночас TSMC і Samsung Electronics поки не використовують High NA EUV для великосерійного виробництва. Новий формат масок може розширити можливості застосування цих систем у майбутньому.

Виробники чипів готують впровадження High NA

SK Hynix повідомила, що розглядає участь у консорціумі щодо впровадження 12-дюймових масок. Компанія планує застосувати процеси High NA EUV у масовому виробництві DRAM до 2028 року.

Samsung також планує запровадити High NA EUV у великосерійному виробництві DRAM до 2028 року. TSMC, зі свого боку, має намір використовувати технологію у великосерійному виробництві чипів за передовими техпроцесами з 2030 року.

ASML планує представити пілотну лінію з більшими масками до 2031 року. Технологія має бути готовою до великосерійного виробництва до 2033 року.

Компанія очікує, що перехід на більші маски також підвищить продуктивність обладнання. За оцінкою технічного директора ASML Марко Пітерса, потенційне зростання становить 40%.

Більше матеріалів з розділу НовиниУсі з розділу